半导体装置

摘要

本发明提供了可实现具有制造容限优异的结构、耐湿性良好、没有变动、可靠性高的半导体装置。最下层的门配线与被埋置在层间绝缘膜下的夹层形状的铜配线相连接。在铜配线的外侧，屏蔽环的铜配线被埋置在层间绝缘膜下。在铜配线和层间绝缘膜上形成硅氮化膜。在硅氮化膜上形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上埋置了连接不同铜配线的熔丝配线。在熔丝配线和包括铝配线的上面，形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上形成了硅氮化膜。位于铝配线上的硅氮化膜已被拆除，形成开口部，硅氮化膜和铝配线直接连接。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：在基体上形成的硅氧化膜，埋入上述硅氧化膜、形成熔丝的熔丝配线，在包围上述熔丝配线的位置处埋入上述硅氧化膜和上述基体、构成屏蔽环的金属配线，在上述硅氧化膜上形成的耐湿性保护膜，上述保护膜具有在上述熔丝配线上开口使上述硅氧化膜露出且不介由上述硅氧化膜而与上述金属配线的上面直接连接的部分。