发明名称 半导体封装元件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半导体封装元件及其制造方法。该半导体封装元件包括:具有多个小尺寸及以微小间距对齐的焊接垫的半导体芯片、一形成于半导体芯片上以露出焊接垫的平面层、形成于平面层上而且尺寸大于焊接垫尺寸的金属图形,并且至少某些部分的金属图形连接到焊接垫、和介于平面层和金属图形之间的种子金属层。当焊接垫具有小尺寸及以微小间距对齐时,可以使用尺寸大于焊接垫尺寸和覆盖焊接垫区域的金属图形作为焊接垫的连接部分来进行丝键合工艺。因此,可以减少焊接垫区域50~80%,使得可以增加半导体芯片中的芯片数目。
申请公布号 CN1574320A 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN200310101231.3 申请日期 2003.10.13
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 宋镐旭
分类号 H01L23/48;H01L21/60;H01L21/50 主分类号 H01L23/48
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种半导体封装元件,包括:一具有多个焊接垫的半导体芯片,该焊接垫具有小尺寸并以微小间距对齐;一平面层,形成在该半导体芯片上以露出该焊接垫;金属图形,形成在该平面层上而且具有大于该焊接垫尺寸的尺寸,并且该金属图形的至少某些部分连接到该焊接垫;以及一种子金属层,介于该平面层和该金属图形之间。
地址 韩国京畿道