发明名称 光学信息记录介质及其制造方法
摘要 一种光学信息记录介质,包括由ZnS-SiO<SUB>2</SUB>组成的第一介电层,由硅氧氮化物组成的第二介电层,由ZnS-SiO<SUB>2</SUB>组成的第三介电层,由GeN组成的第一界面层,由Ge<SUB>2</SUB>Sb<SUB>2</SUB>Te<SUB>5</SUB>组成的记录层,由GeN组成的第二界面层,由ZnS-SiO<SUB>2</SUB>组成的第四介电层,以及反射层,依此顺序层叠于透明衬底之上。第二介电层是通过在由氩气、氧气和氮气组成的混合气体中进行反应性溅射淀积而成的。第二介电层的折射率经过控制后,低于第一介电层和第三介电层的折射率。在记录层中,处于非晶状态下的光学吸收率经过控制后,低于处于结晶状态下的光学吸收率。
申请公布号 CN1573992A 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN200410048600.1 申请日期 2004.06.14
申请人 日本电气株式会社 发明人 刈屋田英嗣
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;陆弋
主权项 1.一种光学信息记录介质,包括:衬底;形成于所述衬底之上的第一介电层;第二介电层,由通过在所述第一介电层上进行反应性溅射而形成的氧氮化物组成,第二介电层的折射率低于所述第一介电层的折射率;第三介电层,形成于所述第二介电层之上,其折射率高于所述第二介电层的折射率;以及记录层,形成于所述第三介电层之上,所述记录层用于通过使用从外界入射的光将相位状态改变为非晶状态或结晶状态来记录信息,其中当光进入所述衬底时,所述记录层在非晶状态下的光学吸收率低于结晶状态下的光学吸收率。
地址 日本东京