在单一腔室中淀积包含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层的方法

摘要

一种用于将含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层淀积到—晶片表面上的单腔室方法。利用等离子体增强化学气相淀积工艺对钛进行淀积并且接着进行等离子体氮化。然后利用热化学气相淀积工艺对氮化钛进行淀积。更可取地，基体和莲蓬式喷头的温度以及腔室内部压力在整个堆叠层淀积的过程中保持在基本恒定的值。

主权项

1.一种在一单一腔室中将一包含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层淀积在一晶片表面上的方法，包括如下步骤：将一具有一晶片表面的基体放置在反应室中，并与一莲蓬式喷头保持间隔；通过在所述腔室中形成由卤化钛和氢气组成的混合气体的第一等离子体，将一钛薄膜淀积在该腔室中的晶片表面上；通过形成从包含氨气、氮气及它们的混合气体的组中选择出的气体的第二等离子体，在所述腔室中对淀积的钛薄膜进行氮化；以及通过利用包含有卤化钛和氮源气体的混合气体进行热CVD工艺，在所述腔室中在经过氮化的淀积钛薄膜上再淀积一层氮化钛薄膜；其中淀积钛薄膜、对淀积的钛薄膜进行氮化和淀积氮化钛薄膜的步骤分别用温度425℃至700℃或者150℃至250℃的莲蓬式喷头执行的。