| 发明名称 | 晶片背表面处理方法以及切割片粘附装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种便于半导体芯片的拾取以及防止被切割片污染的半导体晶片处理方法。晶片背表面处理方法的特征在于，在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，其中在晶片上形成有半导体电路。在所述方法中，优选使用氧化剂进行激活处理。此外，激活处理优选通过将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面、利用臭氧水以及利用紫外线(UV)对晶片的研磨或者抛光表面进行照射来施行。优选在钝化处理之后粘附切割片。 | ||
| 申请公布号 | CN1574233A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410033565.6 | 申请日期 | 2004.04.06 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 大川雄士 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王玮 |
| 主权项 | 1、一种晶片背表面处理方法，其中在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，在所述晶片上形成有半导体电路。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||