| 发明名称 | 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 | ||
| 摘要 | 一种制造多晶硅的方法，包括：在具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；使用第一掩模在第二区域中形成多个平对准键；通过刻蚀第二区域中的半导体层而形成多个凸对准键，该多个凸对准键具有相对于基板的台阶；和参照这多个凸对准键对准第二掩模，以使第一区域中的半导体层结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1574225A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410042335.6 | 申请日期 | 2004.05.20 |
| 申请人 | LG.飞利浦LCD有限公司 | 发明人 | 金荣柱 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/306;H01L21/027;G03F7/00;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种制造多晶硅的方法，包括在具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；使用第一掩模在所述第二区域中形成多个平对准键；由所述多个平对准键形成多个凸对准键；和使用第二掩模并使用所述多个凸对准键使所述第一区域中的半导体层结晶。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||