| 发明名称 | 采用掺杂的空穴迁移层和/或空穴注入层的有机发光器件 | ||
| 摘要 | 一种有机发光器件，包括阳极；阴极；介于阳极与阴极之间的发射层；及介于阳极与发射层之间的空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层，其中空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层包含基质(host)材料，及作为电子接受体的掺杂材料，该掺杂材料的电子亲合力比基质材料的大至少0.1eV。 | ||
| 申请公布号 | CN1575070A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410049394.6 | 申请日期 | 2004.06.09 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 徐旼撤;杨南喆;陈炳斗;金茂显;李城宅 |
| 分类号 | H05B33/20;C09K11/06 | 主分类号 | H05B33/20 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种有机发光器件，包括：阳极；阴极；介于所述阳极与阴极之间的发射层；及介于所述阳极与发射层之间的空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层，其中所述空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层包含：基质材料；及作为电子接受体的掺杂材料，其中所述掺杂材料的电子亲合力比基质材料的大至少0.1eV。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||