| 发明名称 | 用于接触孔掩模的光学逼近校正设计的方法 | ||
| 摘要 | 公开的概念包括一种使衬底表面上形成的图案的照度分布优化的方法。照度通过以下步骤进行优化：确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定，通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个可分辨部件，以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数建立预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件和相消干涉区。 | ||
| 申请公布号 | CN1573554A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN200410006709.9 | 申请日期 | 2004.01.14 |
| 申请人 | ASML蒙片工具有限公司 | 发明人 | R·J·索查;X·施;D·范登布罗克;J·F·陈 |
| 分类号 | G03F7/20;H01L21/00 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种使衬底表面上形成的图案的照度分布优化的方法，包括以下步骤：确定传递交叉系数(“TCC”)函数，所述函数根据与照明器对应的照明光瞳和投影光瞳来确定；通过至少一个脉冲函数来表示衬底上印制的掩模的至少一个可分辨部件；以及根据至少一个脉冲函数和TCC函数建立预定级的干涉图，其中干涉图表示印制在衬底上的至少一个可分辨部件和相消干涉区。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||