发明名称 金属线、制造该金属线之方法、使用该金属线之薄膜电晶体及显示装置
摘要 本发明提供一种金属线结构,其中在一Cu/Ni薄膜或一 Cu/Au/Ni薄膜的表面上,即使减少了Ni电镀的厚度,也不会发生起泡的缺陷。根据此金属线1,一Cu/Au/Ni薄膜结构中,一Au薄膜13及一Cu薄膜15系连续地以无电式电镀来披覆在由无电式电镀所形成的一Ni薄膜12上,该Ni薄膜12的磷含量x,系为10wt%≦x≦15wt%。经由实验发现,所谓高磷浓度型Ni薄膜12具有磷含量重量百分比在10到15之间,在薄膜厚度为0.1μm或更高的条件下,可成为一良好的平坦薄膜。
申请公布号 TWI227343 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW090104414 申请日期 2001.02.27
申请人 夏普股份有限公司;美尔堤克斯股份有限公司 发明人 和泉良弘;近间义雅;川岛敏;桥本贵治
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种具有电镀薄膜结构的金属线,其中一金薄膜及一铜薄膜的叠层薄膜,或一铜薄膜系由无电式电镀来叠层在由无电式电镀形成的一镍薄膜上,其中:该镍薄膜具有磷含量x为:10wt%≦x≦15wt%,及其中该镍薄膜的薄膜厚度为0.1m或更高。2.如申请专利范围第1项之金属线,其中:该金薄膜的厚度y为:0.005m≦y≦0.05m。3.如申请专利范围第1项之金属线,其中该电镀薄膜的整体厚度z为:0.2m≦z≦1m。4.如申请专利范围第1项之金属线,其系用以做为显示装置之扫描线与信号线中至少之一。5.如申请专利范围第1项之金属线,其系用以做为薄膜电晶体结构中之一闸电极,而在该薄膜电晶体结构中,一闸绝缘薄膜、一半导体薄膜、及源极与汲极系连续地形成在该闸电极上。6.如申请专利范围第1项之金属线,其系用于一主动矩阵型显示装置中,该主动矩阵型显示装置系包含如申请专利范围第5项之薄膜电晶体。7.一种显示装置,其中一驱动器LSI系以一玻璃上晶片的方式来安装在一玻璃基材上,其构成该显示装置的一部份,而如申请专利范围第1项的该金属线则做为形成在该玻璃基材上的该驱动器LSI的输入及输出线。8.一种金属线制造方法,其至少包含以下步骤:在一绝缘基材上,形成具有一指定内连线形状的一氧化膜;在该氧化膜上选择性地提供一电镀触媒;及在该氧化膜上选择性地形成如申请专利范围第1项之金属线到一薄膜中。9.一种金属线制造方法,其至少包含以下步骤:在一绝缘基材上,被覆包含一电镀触媒的一感光材料;藉由照射光线或紫外线在该感光材料上来沉积该电镀触媒到一指定的内连线形状;及选择性地在该触媒沉积的区域之一薄膜中形成如申请专利范围第1项之该金属线。图式简单说明:图1A所示为本发明的一金属线的一第一具体实施例的结构剖面图;图1B所示为本发明的一金属线的一第二具体实施例的结构剖面图;图2所示为由本发明的一金属线制造方法的第一范例所制造的一金属线结构的剖面图;图3所示为由本发明的一金属线制造方法的第二范例所制造的一金属线结构的剖面图;图4所示为由本发明的一第三范例的一薄膜电晶体(TFT)的结构剖面图;图5A为具有该第三范例结构的一主动矩阵型LCD的架构图;图5B为上述主动矩阵形式LCD的同等电路图;图6为一被动矩阵形式LCD的架构图;图7所示为根据本发明的一第四范例的一被动矩阵型LCD之剖面图;及图8所示为在一先前技艺范例中当在一Ni薄膜上执行直接Cu电镀时所发生起泡缺陷的架构剖面图。
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