发明名称 绝缘材料、绝缘材料之制造方法以及多层电路基板之制造方法
摘要 提供绝缘性、埋入性等优良,不会发生裂痕之适合多层电路基板的材料,其制造方法以及使用该绝缘材料的多层电路基板。具有硬化性组成物层的绝缘材料,系为该硬化性组成物层每1cm2含有0~50个粒径在30~50μm之范围的异物的绝缘材料,其制造方法以及使用该绝缘材料的多层电路基板的制造方法。
申请公布号 TWI227658 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW090106583 申请日期 2001.03.21
申请人 杰恩股份有限公司 发明人 大西和幸;松井利又;仓片洋;杉村正彦
分类号 H05K3/46 主分类号 H05K3/46
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种绝缘材料,具有基材,与积层于该基材上的硬化性组成物层,其中该硬化性组成物层粒径30~50m之范围的异物之每1cm2含有量为0~50个;且该硬化性组成物层在120℃之溶融黏度为1,000~100,000cps。2.如申请专利范围第1项所述之绝缘材料,其中该硬化性组成物包含指环式烯烃聚合体以及芳香族聚醚。3.一种绝缘材料的制造方法,适用于制造如申请专利范围第1项所述之绝缘材料,包括以硬化性组成物的溶液在基材上形成涂布层之步骤,与乾燥该涂布层之步骤。4.如申请专利范围第3项所述之绝缘材料的制造方法,其中该硬化性组成物包含指环式烯烃聚合体以及芳香族聚醚。5.如申请专利范围第3项所述之绝缘材料的制造方法,在以硬化性组成物的溶液在基材上形成涂布层步骤之前,包括除去该基材表面带电的静电。6.如申请专利范围第3项所述之绝缘材料的制造方法,在以硬化性组成物的溶液在基材上形成涂布层步骤之前,包括除去存在于该基材表面的异物之步骤。7.如申请专利范围第3项所述之绝缘材料的制造方法,其中在将前述涂布层乾燥之步骤后,包括将存在于硬化性组成物层表面的异物除去之步骤。8.如申请专利范围第3项所述之绝缘材料的制造方法,其中在将前述涂布层乾燥之步骤后,包括在硬化性组成物层表面积层保护膜之步骤。9.一种多层电路基板的制造方法,包括:在具有形成于前述第一电绝缘层与其表面的第一导体电路的内层基板上,积层接合申请专利范围第1项所述之绝缘材料的硬化性组成物层;除去基材;使硬化性组成物层硬化而形成第二电绝缘层;以及在第二电绝缘层的表面形成第二导体电路。10.一种具有基材、与积层于该基材上之硬化性组成物层的绝缘材料的制造方法,适用于制造申请专利范围第1项所述之绝缘材料,包括以硬化性组成物的溶液在基材上形成涂布层之步骤以及乾燥该涂布层之步骤;其中,乾燥涂布层之步骤包括至少两个在20~90℃进行乾燥之第1乾燥区与在70~150℃进行乾燥的第2乾燥区;各乾燥区的乾燥时间为40~150秒,且第2乾燥区的温度高于第1乾燥区的温度。11.一种具有基材、与积层于该基材上之硬化性组成物层的绝缘材料的制造方法,适用于制造申请专利范围第1项所述之绝缘材料,乾燥步骤至少包括3个在20~90℃进行乾燥之第1乾燥区、在70~130℃进行乾燥的第3乾燥区与在120~150℃进行乾燥的第4乾燥区;各乾燥区的乾燥时间为40~150秒,第3乾燥区的温度高于第1乾燥区的温度,且第4乾燥区的温度高于第3乾燥区的温度。12.如申请专利范围第10或11项所述之制造方法,其中完成形成涂布层之步骤转移到乾燥涂布层之步骤的时间为10~12秒,温度为0~40℃。13.一种绝缘材料,具有基材与积层于该基材上的硬化性组成物的层,且带电电压(绝对値)为500V以下。14.如申请专利范围第13项所述之绝缘材料,其中基材为混有等电性填充料或界面活性剂之树脂膜。15.如申请专利范围第13项所述之绝缘材料,基材的带电电压(绝对値)为500V以下。16.一种绝缘材料的制造方法,适用于制造如申请专利范围第13项所述之绝缘材料,包括在以软X线照射基材后,涂布硬化性组成物的溶液,并乾燥。17.如申请专利范围第16项所述之绝缘材料的制造方法,其中基材为混有导电性填充料或界面活性剂之树脂膜。18.一种如申请专利范围第13项所述之绝缘材料的制造方法,包括使基材与醇或界面活性剂接触后,涂布硬化性组成物的溶液,并乾燥。19.一种如申请专利范围第13项所述之绝缘材料的制造方法,包括于基材涂布硬化性组成物的溶液、乾燥后,照射软X线。20.一种多层电路基板的制造方法,包括:在形成于第一电绝缘层与其表面的第一导体电路组成之内层基板上,接合硬化性组成物的层于内层基板上而积层申请专利范围第13项所述之绝缘材料;将基材从硬化性组成物的层剥离;使硬化性组成物层硬化而形成第二电绝缘层;以及接着在第二电绝缘层之上积层形成导体电路的导电体。图式简单说明:第1图系为以连续涂布装置制造本发明之绝缘材料的概略图。第2图系为以光学显微镜观察本发明之绝缘材料之硬化性组成物层中或其表面存在之异物之试料的剖面图。
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