发明名称 记忆体阵列中多级侦测之方法与装置
摘要 一种用于侦测由一记忆体阵列内一记忆体胞元被接收的信号之方法,包含之步骤为产生与该记忆体阵列之被选择的一记忆体胞元之电流成比例的一类比电压Vddr,并比较该类比电压Vddr与一基准类比电压Vcomp以产生一输出数位信号。一种方法亦被提供用于藉由变换来自一记忆体胞元之信号为时间延迟而侦测一记忆体胞元,及藉由比较该时间延迟与一基准胞元之时间延迟而侦测该记忆体胞元。相关的装置亦被揭示。
申请公布号 TW200504761 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093112002 申请日期 2004.04.29
申请人 赛方半导体公司 发明人 达德斯海福 瓯格
分类号 G11C7/06;G11C11/56 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国