多重金属层内连线结构

摘要

一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，与第一与第二插塞连接以形成金属双镶嵌结构，其中，第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而第三与四金属线层间仍保持以距离d彼此平行。

主权项

1.一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，其特征在于，该结构包括：至少一介电层，沉积于该半导体基底之上；一第一金属线层与一第二金属线层，分别镶嵌于该介电层中，其中该第一金属线层以一距离d，平行于该第二金属线层；多个第一插塞，设置于该介电层中与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多个第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；以及一第三金属线层与一第四金属线层，位于该第一与第二金属线层上方，与所述的第一与第二插塞间形成金属双镶嵌结构，其中，该第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而该第四金属线层以该距离d，平行于该第三金属线层。