发明名称 半导体器件的芯片规模表面安装封装及其制造方法
摘要 按晶片规模制造半导体封装,该封装,管芯的两侧接触。晶片的背面侧附着于金属板上。锯切分开管芯的划线,露出金属板,但该切割不透过金属板。在管芯的正面侧上形成可包括多个金属子层的金属层,金属覆盖在金属板的露出部分上,并覆盖管芯侧边缘。金属层分开部分还可覆盖在管芯正面侧上的连接焊盘上。用比第一组锯切所用刀片窄的刀片,与第一组锯切一致地进行第二组锯切。结果,金属层保留在连接管芯的背面侧和正面侧的管芯侧边缘上。
申请公布号 CN1186810C 申请公布日期 2005.01.26
申请号 CN99126122.4 申请日期 1999.12.13
申请人 维谢伊因特泰克诺洛吉公司 发明人 费利克斯·赞德曼;Y·默罕穆德·卡塞姆;何约瑟
分类号 H01L21/768;H01L21/50;H01L23/31 主分类号 H01L21/768
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1.一种制造半导体器件封装的方法,包括:配置半导体晶片,该半导体晶片包括由划线分开的多个管芯,各管芯包括半导体器件,各管芯正面侧的表面包括钝化层和至少一个连接焊盘;把导电衬底粘附于晶片的背面侧;沿划线切透晶片,进行第一次切割,第一次切割露出衬底和管芯的侧边缘,第一次切割的切口有第一宽度W1;形成金属层,该金属层从因第一次切割而露出的导电衬底的部分沿管芯的侧边缘延伸,并至少延伸到钝化层的一部分上;沿与划线对应的线切透导电衬底,进行第二次切割,第二次切割的切口有小于第一宽度W1的第二宽度W2,以致金属层的至少一部分保留在管芯的侧边缘上,并在导电衬底和管芯正面侧上的位置之间形成导电性通路的一部分。
地址 美国宾夕法尼亚州