| 发明名称 |
Ohmsche Kontaktstruktur für eine hochintegrierte Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4406861(B4) |
申请公布日期 |
2005.01.20 |
| 申请号 |
DE19944406861 |
申请日期 |
1994.03.02 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, SANGIN;PARK, SOONOH |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L29/45;(IPC1-7):H01L21/283;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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