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发明名称 METHOD OF FORMING CONTAMINANT-FREE GATE OXIDE LAYER STRUCTURE WITH DIFFERENT THICKNESS IN IC DEVICE
摘要
申请公布号 KR100468705(B1) 申请公布日期 2005.01.20
申请号 KR19980005020 申请日期 1998.02.18
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HONG, YEONG GI;KIM, SEOK SIK;KWON, YEONG MIN;PARK, HEUNG SU
分类号 H01L21/31;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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