发明名称 一种用于偏振分束/合束的纳米级光栅及其制作方法
摘要 本发明提供一种用于偏振分束/合束的纳米级光栅及其制作方法,其纳米级光栅的金属栅条位于沟槽底部,并在光栅结构的上层沉积一层与衬底同质的保护膜。纳米级光栅的制作方法包括以下步骤:(1)首先用同步辐射X射线光刻方法制作基本纳米光栅;(2)在纳光光栅表面均匀镀制具有高反射性的金属膜;(3)用离子束倾斜刻蚀方法去掉光栅脊背上的金属膜;(4)用沉积方法将与衬底同质的材料覆盖在光栅表面。先采用倾斜角度的方法将材料沉积在光栅脊背上搭桥,再将沉积材料覆盖在光栅表面。使金属光栅具有较理想的坚固表面和可靠的保护覆盖层。
申请公布号 CN1567002A 申请公布日期 2005.01.19
申请号 CN03128137.0 申请日期 2003.06.10
申请人 武汉光迅科技有限责任公司 发明人 刘文
分类号 G02B5/18;G02B5/30;G02B27/28 主分类号 G02B5/18
代理机构 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人 刘志菊
主权项 1、一种用于偏振分束/合束的纳米级光栅,它由纳米光栅、金属栅条、保护膜依次组成,其特征在于纳米级光栅的金属栅条位于沟槽底部,并在光栅结构的上层沉积一层与衬底同质的保护膜。
地址 430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号光迅科技开发管理部