绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法

摘要

一种绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法，该包鳍状元件包含：硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，且晶闸管的宽度能使其结构中形成一非空乏区域，与栅极层。本发明的另一实施例包含硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，及部分覆盖于晶闸管宽度之上的栅极层，使晶闸管结构中间形成非空乏区域。借此，本发明的鳍状元件具有降低半导体组件的短信道效应尺寸，及改善SOI制造工艺鳍状元件完全空乏的情况，使得晶闸管的操作速度更为加快，还能满足系统芯片的制造需求。

主权项

1、一种绝缘硅芯片的鳍状元件，其特征在于，该鳍状元件至少包含：一硅基材；一绝缘层，覆盖于该硅基材之上；至少一鳍状结构的晶闸管形成于该绝缘层之上，该鳍状结构的硅控整流体的宽度，能使在该鳍状结构的晶闸管中形成一非空乏区域；及至少一栅极层，形成在该鳍状结构的晶闸管之上，用来控制该硅控整流体。