发明名称 光电二极管
摘要 提供了一种在短波长区域内的光敏感性得到改善并且漏电流没有增加的光电二极管。在第一种导电类型半导体区域表面上形成了多个第二种导电类型半导体层,而且位于第二种导电类型半导体层之间的第一种导电类型半导体区域的表面被去除。
申请公布号 CN1185717C 申请公布日期 2005.01.19
申请号 CN00131438.6 申请日期 2000.10.18
申请人 精工电子有限公司 发明人 小岩进雄
分类号 H01L31/10 主分类号 H01L31/10
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 梁永;傅康
主权项 1.一种光电二极管,包括一个第一种导电类型半导体区域,和形成于第一种导电类型半导体区域表面上的多个第二种导电类型半导体层,第一种导电类型半导体区域和多个第二种导电类型半导体层构成用于探测光学信号并输出自身光电转换信号的光探测部分,并且,位于第二种导电类型半导体层之间的第一种导电类型半导体区域的表面被去除。
地址 日本千叶县