| 摘要 |
一种可达成高密度之双向读取／规划式非依电性记忆体晶胞和阵列。每一记忆体晶胞，系具有两相分隔而可在其上储存电荷之浮动闸极。其晶胞系具有一些相分隔而在其间有一通道之源极／汲极区域，该通道系具有三部分。其一浮动闸极，系在一第一部分上方；另一浮动闸极，系在一第二部分上方，以及有一闸电极，可控制此等第一与第二部分间之第三部分内的通道之传导性。有一控制闸极，系使连接至每一源极／汲极区域，以及亦以电容方式耦合至其浮动闸极。其晶胞可以热通道电子注入来加以规划，以及可由一自其浮动闸极至其闸电极之电子的Fowler–Nordheim穿透效应，来加以抹除。双向读取将可容许其晶胞被规划而储存位元，使每一浮动闸极中有一位元。 |
