用以降低光阻剂厚度及通道电阻之导线及接触窗形成方法

摘要

揭示一种半导体装置中导线及接触窗之形成方法。本方法包括步骤有提供一基底；于基底上形成第一介电层；于第一介电层挖出一通道，并于该通道中填入金属；于包括该通道之第一介电层上形成导体层；于导体层上形成金属层；移除导体层以及金属层不需要的部份形成开口，而留下的导体层／金属层形成导线部分；涂覆一第二介电层以填入开口，并加以平坦化处理，使导线部分露出；形成第三介电层；于第三介电层上形成具有预定图案之光阻剂；移除第三介电层之预定部份以形成接触窗；以及移除光阻剂。