半导体图案化光阻层之重作制程

摘要

一种半导体图案化光阻层之重作制程。首先，提供一基板，基板上系依序形成有第一抗反射介质覆层、第一光阻助黏层及第一图案化光阻层。接着，去除第一抗反射介质覆层上之第一图案化光阻层及第一光阻助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质覆层于第一抗反射介质覆层上。然后，形成第二光阻助黏层于第二抗反射介质覆层上。接着，形成第二图案化光阻层于第二光阻助黏层上。