半导体积体电路装置

摘要

于动作频率高时，为要使输出端子OUT之输出的变化率急剧而输入低电位之选择控制讯号以使MOS电晶体(T5b、T6b)为ON，由此使NOR闸(NOx)内之MOS电晶体的ON电阻之合成电阻减小。又于动作频率低时，为要使输出端子OUT之输出的变化率缓和而输入高电位之选择控制讯号以使MOS电晶体(T5b、T6b)为OFF，由此使NOR闸(NOx)内之MOS电晶体之ON电阻的合成电阻增大。