| 主权项 |
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一多晶硅层于所述的基底的一预定区域上；形成一栅极绝缘层于所述的基底上，以覆盖所述的多晶硅层；形成一栅极层于所述的栅极绝缘层上；形成一光阻层于所述的栅极层上，所述的光阻层包括一第一区域以及一第二区域，且所述的第一区域的厚度大于所述的第二区域的厚度；使用所述的光阻层作为掩模以进行一第一蚀刻工序，将所述的光阻层的第一区域与第二区域以外的栅极层去除；进行一灰化工序，将所述的光阻层的第一区域薄化，并将所述的光阻层的第二区域完全去除；使用所述的光阻层的第一区域作为掩模以进行一第二蚀刻工序，将所述的光阻层的第一区域以外的所述的栅极层去除至一预定厚度，则所述的栅极层包括一第一区域以及一第二区域，其中所述的栅极层的第一区域相对应于所述的光阻层的第一区域，所述的栅极层的第二区域相对应于所述的光阻层的第二区域，所述的栅极层的第一区域的厚度大于所述的栅极层的第二区域的厚度；去除所述的光阻层；以及使用所述的栅极层作为掩模以进行一离子注入工序，以于所述的多晶硅层中形成一未掺杂区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域；其中，所述的未掺杂区域被所述的栅极层的第一区域所覆盖；其中，所述的第一掺杂区域被所述的栅极层的第二区域所覆盖；其中，所述的第二掺杂区域暴露于所述的栅极层的第二区域外侧；其中，所述的第一掺杂区域形成于所述的未掺杂区域与所述的第二掺杂区域之间；以及其中，所述的第一掺杂区域的掺杂浓度小于所述的第二掺杂区域的掺杂浓度。 |
