反应显影布图方法

摘要

本发明涉及一种光致抗蚀剂技术，它可用于制备半导体集成电路、印刷电路基片和液晶板，并且当使用在主链上含有与杂原子相连的羰基(C＝O)的通用树脂时，提供了一种通过直接攻击来破坏这些键的方法，不需要该树脂骨架侧链具有任意特定的反应性基团。一种反应显影布图方法，其中使用紫外线照射一由所需图案掩盖的光致抗蚀剂层，接着用一含碱溶剂溶液洗涤该层，特征在于所述光致抗蚀剂层包含一在主链上含有与杂原子相连的羰基(C＝O)的缩合型聚合物和一光酸产生剂，并且所述碱是一种胺。该反应显影布图方法的特征在于能够使用含有对亲核试剂的反应性低的键的树脂作为光致抗蚀剂材料，例如含有任一种诸如碳酸酯键、酯键、氨基甲酸酯键和酰胺键的键的缩合型聚合物。

主权项

1、一种反应显影布图方法，它包括步骤：使用紫外线照射由所需图案掩盖的光致抗蚀剂层，接着使用含有碱的溶剂溶液洗涤所述层，其中所述光致抗蚀剂层包括一在主链上含有与杂原子相连的羰基(C＝O)的缩合型聚合物和一光酸产生剂，并且所述碱是一种胺。