氮化铟镓发光二极体之结构改良

摘要

本创作系有关一种氮化铟镓发光二极体之结构改良，其包括有：一蓝色发光二极体磊晶层，其系成长于一Al2O3基板上，并于成型后剥离去除该Al2O3基板所形成之结构体；且其于基板移去之表面设有导电接触极；前述磊晶层之顶缘部分表面，至少设有一导电接触端；一替代性基板，系选自铬、钨、钼、铜、铜铬合金、铜钼合金、铜钨合金及其组合式其中之一所制成，其系黏合在蓝色发光二极体磊晶层顶部位置，并与导电接触端连接。藉此，具有散热性佳，可承受较大电流，进而提升发光亮度者。

主权项

1.一种氮化铟镓发光二极体之结构改良,其包括有:一蓝色发光二极体磊晶层,其系成长于一Al2O3基板上,并于成型后剥离去除该Al2O3基板所形成之结构体;且其于基板移去之表面设有导电接触极;前述磊晶层之顶缘部分表面,至少设有一导电接触端;以及一替代性基板,系选自铬、钨、钼、铜、铜铬合金、铜钼合金、铜钨合金及其组合式其中之一所制成,其系黏合在蓝色发光二极体磊晶层顶部位置,并与导电接触端连接者。2.如申请专利范围第1项所述之氮化铟镓发光二极体之结构改良,其中,该黏合组成之发光二极体系呈直立型。图式简单说明:第一图系习用氮化铟镓发光二极体成型过程示意图。第二图系习用氮化铟镓发光二极体结构示意图。第三图系本创作成型过程示意图。第四图系本创作将成长基板移除之示意图。第五图系本创作之分解示意图。第六图系本创作之组合示意图。