| 主权项 |
1.一种改良的浸镀锡流程,俾在待镀物上形成锡金属层,该流程包括下列步骤:对该待镀物之待镀表面施予前段表面处理程序;对该待镀表面施予状态调节程序,该状态调节程序包括一次或一次以上预镀,使在该待镀表面上预先形成均匀之锡薄层,该一次或一次以上预镀包括至少一次使用含有锡的溶液,该预镀使用的溶液包括甲基磺酸锡0.1-120g/L、硫尿10-120g/L、甲基磺酸40-200ml/L、以及抗氧化剂0.5-100g/L;以及浸镀锡程序;其中,该预镀的操作温度不大于该浸镀锡程序操作温度,且所使用溶液的锡浓度不高于该浸镀锡程序使用溶液的锡浓度,该均匀之锡薄层系以低于该浸镀锡程序沉积锡的速率沉积而形成。2.如申请专利范围第1项之浸镀锡流程,其中该前段表面处理程序包括下列步骤:对该待镀表面施予脱脂;水洗该待镀表面;微蚀该待镀表面;以及水洗该待镀表面。3.如申请专利范围第2项之浸镀锡流程,其中该脱脂系于30-80℃下实施。4.如申请专利范围第2项之浸镀锡流程,其中该微蚀系于20-50℃下实施。5.如申请专利范围第2项之浸镀锡流程,其中该微蚀包括去除该待镀表面之氧化物。6.如申请专利范围第1项之浸镀锡流程,其中该状态调节程序更包括一次或一次以上预浸该待镀表面。7.如申请专利范围第6项之浸镀锡流程,其中该预浸与该预镀使用同一溶液。8.如申请专利范围第6项之浸镀锡流程,其中该预浸系于20-70℃下实施。9.如申请专利范围第6项之浸镀锡流程,其中该预浸使用含有锡的溶液。10.如申请专利范围第6项之浸镀锡流程,其中该预浸使用不含锡的溶液。11.如申请专利范围第1项之浸镀锡流程,其中该浸镀锡程序使用的溶液包括甲基磺酸锡1-150g/L、硫尿1-150g/L、甲基磺酸1-300ml/L、以及抗氧化剂0.1-110g/L。12.如申请专利范围第11项之浸镀锡流程,其中该浸镀锡程序使用的溶液包括甲基磺酸锡20-120g/L、硫尿20-120g/L、甲基磺酸50-200ml/L、以及抗氧化剂1-100g/L。13.如申请专利范围第1项之浸镀锡流程,其中该预镀的操作温度为室温至55℃。14.如申请专利范围第13项之浸镀锡流程,其中该浸镀锡程序的操作温度为室温至80℃。15.如申请专利范围第14项之浸镀锡流程,其中该浸镀锡程序的操作温度为50-70℃。16.如申请专利范围第1项之浸镀锡流程,在该浸镀锡程序后更包括下列步骤:以温水清洗该待镀物;以及以纯水清洗该待镀物。图式简单说明:第一图系传统之浸镀锡流程;第二图系根据本发明改良之浸镀锡流程;第三图显示使用传统浸镀锡流程于PCB表面所形成的锡层;第四图系利用电子显微镜观察第三图的锡层的微观状态;第五图系使用本发明浸镀锡流程于PCB表面所形成的锡层;以及第六图系利用电子显微镜观察第五图的锡层的微观状态。 |
