| 主权项 |
1.一种选择性氢化含有烃之进料中杂质之方法,包含:在承载于粒子载体上之选择性氢化作用催化剂之存在下,选择性氢化该杂质,该载体催化剂系承载于一种网结构上,该网结构系由多层且于该层中无规地位向之纤维所形成之三次元网状结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该纤维具有低于30微米之直径。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该纤维具有约8微米至约25微米之直径。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该杂质系选自包括炔属化合物、二烯烃、及其等之混合物,及该进料包含至少一种单烯烃及该杂质。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该杂质系选自包括烯烃及二烯烃,及该进料包含至少一种杂质及一种芳族化合物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该杂质系选自包括炔属烃及包含相邻之双键之一种化合物,及该进料包括包含由至少一个单键分隔之双键之一种化合物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该进料包括一氧化碳。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该粒子载体具有约0.1平方米/克至约300平方米/克之表面积。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该粒子载体具有约1平方米/克至约200平方米/克之表面积。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该载体催化剂包含钯、铂、银、镍、或其等之一种组合。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该载体催化剂具有约0.05%至约25%之金属含量。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该网具有至少45%之空隙体积。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中该网具有至少55%之空隙体积。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该网具有至少65%之空隙体积。15.根据申请专利范围第14项之方法,其中该网具有至少90%之空隙体积。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该网具有不超过95%之空隙体积。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中该载体催化剂系涂覆于该网结构上。18.根据申请专利范围第1项之方法,其中该载体催化剂系陷入于该网之空隙中。19.一种选择性氢化含有烃之进料中杂质之方法,包含:在选择性氢化作用催化剂之存在下,选择性氢化该杂质,该催化剂系涂覆于网结构上,该网结构系由多层且于该层中无规地位向之纤维所形成之三次元网状结构。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该纤维具有低于30微米之直径。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该纤维具有约8微米至约25微米之直径。22.如申请专利范围第19项之方法,其中该杂质系选自包括炔属化合物、二烯烃、及其等之混合物,及该进料包含至少一种单烯烃及该杂质。23.如申请专利范围第19项之方法,其中该杂质系选自包括烯烃及二烯烃,及该进料包含至少一种杂质及一种芳族化合物。24.如申请专利范围第19项之方法,其中该杂质系选自包括炔属烃及包含相邻之双键之一种化合物,及该进料包括包含由至少一个单键分隔之双键之一种化合物。25.如申请专利范围第19项之方法,其中该进料包括一氧化碳。26.根据申请专利范围第19项之方法,其中该网具有至少45%之空隙体积。27.根据申请专利范围第26项之方法,其中该网具有至少55%之空隙体积。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中该网具有至少65%之空隙体积。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中该网具有至少90%之空隙体积。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中该网具有不超过95%之空隙体积。 |
