| 主权项 |
1.一种电子装置的制造装置,其特征在于包含: 搬送在各电路区块设有电子零件搭载区域的连续 体之卷出卷轴及卷取卷轴; 将电子零件安装于上述连续体的电子零件搭载区 域之安装区域;及 进行安装有上述电子零件之连续体的回流处理之 回流区域; 上述回流区域是配置于上述安装区域的下游侧。 2.如申请专利范围第1项之电子装置的制造装置,其 中更具备:导电材涂布手段;该导电材涂布手段是 供以在上述安装位置的上游侧,将导电材涂布于上 述连续体的预定区域。 3.如申请专利范围第2项之电子装置的制造装置,其 中上述导电材涂布手段是一次针对复数个电路区 块来涂布导电材。 4.如申请专利范围第3项之电子装置的制造装置,其 中上述安装手段是设置复数个,分割藉由上述导电 材涂布手段而涂布的导电材涂布区域来进行安装 。 5.如申请专利范围第1-4项的其中任一项所记载之 电子装置的制造装置,其中更具备: 卷出手段;该卷出手段是供以卷出藉由上述搬送手 段而搬送的连续体;及 卷取手段;该卷取手段是供以卷取藉由上述搬送手 段而搬送的连续体。 6.如申请专利范围第5项之电子装置的制造装置,其 中更具备:切出手段;该切出手段是设置于上述卷 取手段的前段,在各电路区块切出藉由上述卷取手 段而卷取的连续体。 7.如申请专利范围第5项之电子装置的制造装置,其 中上述导电材涂布手段,上述安装手段及上述回流 手段是沿着上述连续体的搬送方向来排列配置于 上述卷出手段与上述卷取手段之间。 8.如申请专利范围第1-4项的其中任一项所记载之 电子装置的制造装置,其中更具备:缓冲手段;该缓 冲手段是设置于上述回流手段的前段,使搬送至上 述回流手段的连续体在途中迟缓。 9.如申请专利范围第5项之电子装置的制造装置,其 中更具备: 封装树脂涂布手段;该封装树脂涂布手段是设置于 上述卷取手段的前段,在上述被回流的连续体的预 定区域涂布封装树脂;及 硬化手段;该硬化手段是供以在上述封装树脂的涂 布位置的下游侧进行上述封装树脂的硬化。 10.如申请专利范围第1-4项的其中任一项所记载之 电子装置的制造装置,其中上述回流手段更具备: 发热手段;该发热手段是藉由控制与上述连续体的 被加热处理区域的距离来使上述被加热处理区域 的温度上升。 11.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段是藉由接近或接触于上述连续 体的被加热处理区域的至少一部份来使上述被加 热处理区域的温度上升。 12.如申请专利范围第11项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段是由上述连续体的背面侧或表 面侧来接触。 13.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段是藉由控制移动速度或移动位 置来阶段性地控制被加热处理区域的温度。 14.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段为上下移动或水平移动。 15.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段是复数次接触于同一被加热处 理区域。 16.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段具有比藉由上述导电材涂布手 段而涂布的导电材涂布区域还要大的接触面积,一 次针对复数个电路区块来使温度上升。 17.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段具有设定温度不同的复数个接 触区域,藉由上述接触区域依次接触于上述被加热 处理区域来阶段性地使上述被加热处理区域的温 度上升。 18.如申请专利范围第17项之电子装置的制造装置, 其中上述设定温度不同的复数个接触区域是沿着 上述连续体的搬送方向来排列配置。 19.如申请专利范围第17项之电子装置的制造装置, 其中在上述设定温度不同的接触区域间设有空隙 。 20.如申请专利范围第17项之电子装置的制造装置, 其中上述设定温度不同的复数个接触区域可个别 移动。 21.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中上述发热手段具有对应于复数个制品间距之 长度不同的复数个接触区域,对应于上述制品间距 来选择上述接触区域。 22.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中在上述连续体的被加热处理区域与上述发热 手段之间,更具备插拔可能的遮蔽手段。 23.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中更具备: 计时手段;该计时手段是用以计时上述发热手段之 上述被加热处理区域的加热时间;及 脱离手段;该脱离手段是在上述加热时间超越预定 时间时,使上述发热手段脱离上述被加热处理区域 。 24.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中更具备: 支持台;该支持台是供以支持上述发热手段;及 滑动手段;该滑动手段是供以沿着上述连续体的搬 送方向来使上述支持台滑动。 25.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中更具备:加热辅助手段;该加热辅助手段是由 与上述发热手段不同的方向来加热上述连续体的 被加热处理区域。 26.如申请专利范围第10项之电子装置的制造装置, 其中更具备:温度下降手段;该温度下降手段是在 于使藉由上述发热手段而温度上升的上述被加热 处理区域的温度下降。 27.如申请专利范围第26项之电子装置的制造装置, 其中上述温度下降手段具备:平板构件;该平板构 件在面向上述被加热处理区域的一侧具有复数个 冷却剂的吹出孔。 28.如申请专利范围第26项之电子装置的制造装置, 其中上述温度下降手段具备: 由厚度方向的上下来覆盖上述被加热处理区域而 夹入之剖面呈字形的覆夹孔;及 设置于上述覆夹孔的内面之复数个冷却剂的吹出 孔。 29.如申请专利范围第26项之电子装置的制造装置, 其中上述温度下降手段具备:比上述发热手段的温 度还要低的区域,藉由上述温度较低的区域接触于 上述连续体的被加热处理区域的至少一部份来使 上述被加热处理区域的温度下降。 30.如申请专利范围第29项之电子装置的制造装置, 其中上述温度较低的区域具有比藉由上述导电材 涂布手段而涂布的导电材涂布区域还要大的接触 面积,上述温度下降手段是一次针对复数个电路区 块来使温度上升。 31.如申请专利范围第26项之电子装置的制造装置, 其中上述温度降下手段是排列配置于上述发热手 段的前段或后段或者上述发热手段之间。 32.如申请专利范围第29项之电子装置的制造装置, 其中上述温度较低的区域具有对应于复数个制品 间距之长度不同的复数个接触区域,上述温度下降 手段是对应于上述制品间距来选择上述接触区域 。 33.一种电子装置的制造方法,其特征在于: 在卷出侧与卷取侧之间被拉出,且于各电路区块设 有电子零件搭载区域的连续体上,并列进行将电子 零件安装于上述连续体上的安装处理与加热上述 连续体的回流处理。 34.如申请专利范围第33项之电子装置的制造方法, 其中在卷出侧与卷取侧之间被拉出的连续体上,更 并列进行导电材涂布处理,树脂封装处理或电路区 块的切出处理的其中至少一个处理。 35.一种电子装置的制造方法,其特征在于包含: 藉由搬送在各电路区块设有电子零件搭载区域的 连续体,使上述连续体之电子零件的未安装区域移 动至安装区域,且使在上述安装区域被安装电子零 件的上述连续体的安装完成区域移动至回流区域 之过程; 于上述安装区域将电子零件安装于上述连续体的 未安装区域之过程;及 在上述回流区域进行上述连续体的安装完成区域 的回流处理之过程。 36.一种电子装置的制造方法,其特征在于包含: 藉由搬送在各电路区块设有包含导电材未涂布区 域,导电材涂布完成区域及安装有电子零件的安装 完成区域之电子零件搭载区域的连续体,使上述导 电材未涂布区域移动至导电材涂布区域,并使在上 述导电材涂布区域被涂布导电材的上述导电材涂 布完成区域移动至安装区域,且使在上述安装区域 被安装电子零件的上述安装完成区域移动至回流 区域之过程; 在上述导电材涂布区域使导电材涂布于上述连续 体的导电材未涂布区域之过程; 于上述安装区域将电子零件安装于上述连续体的 导电材涂布完成区域之过程;及 在上述回流区域进行上述连续体的安装完成区域 的回流处理之过程。 37.如申请专利范围第33-36项的其中任一项所记载 之电子装置的制造方法,其中上述回流处理是藉由 使发热手段接近或接触于上述连续体的被加热处 理区域的至少一部份来使上述被加热处理区域的 温度上升。 38.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中使复数个电路区块一次接触于上述发热手段 。 39.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中使同一电路区块复数次接触于上述发热手段 。 40.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中上述回流处理具备: 将上述连续体的第1被加热处理区域搬送至上述发 热手段上之过程;及 藉由使搬送至上述发热手段上的上述第1被加热处 理区域接触于上述发热手段来使上述第1被加热处 理区域的温度上升之过程;及 将上述连续体的第2被加热处理区域搬送至上述发 热手段上之过程;及 藉由使搬送至上述发热手段上的上述第2被加热处 理区域接触于上述发热手段来使上述第2被加热处 理区域的温度上升之过程。 41.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中上述回流处理具备: 将上述连续体的被加热处理区域搬送至上述发热 手段上之过程;及 藉由使上述发热手段阶段性地接近于搬送至上述 发热手段上的被加热处理区域来阶段性地使上述 加热处理区域的温度上升之过程。 42.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中具备: 在上述发热手段之上述被加热处理区域的加热后 或加热中,使上述发热手段脱离上述被加热处理区 域之过程。 43.如申请专利范围第42项之电子装置的制造方法, 其中具备:在上述被脱离的上述发热手段与上述被 加热处理区域之间插入遮热板之过程。 44.如申请专利范围第42项之电子装置的制造方法, 其中具备:使由上述被加热处理区域脱离的上述发 热手段再度接触于上述被加热处理区域之过程。 45.如申请专利范围第44项之电子装置的制造方法, 其中具备:在使由上述被加热处理区域脱离的上述 发热手段再度接触于上述被加热处理区域之前,将 热风吹至上述被加热处理区域之过程。 46.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中上述回流处理具备: 将上述连续体的第1被加热处理区域搬送至第1发 热手段上,且将上述连续体的第2被加热处理区域 搬送至比上述第1发热手段还要高温的第2发热手 段上之过程;及 藉由使搬送至上述第1发热手段上的上述第1被加 热处理区域接触于上述第1发热手段来使上述第1 被加热处理区域的温度上升,且藉由使搬送至上述 第2发热手段上的上述第2被加热处理区域接触于 上述第2发热手段来使上述第2被加热处理区域的 温度上升至比上述第1被加热处理区域的温度还要 高之过程。 47.如申请专利范围第46项之电子装置的制造方法, 其中上述第1发热手段及上述第2发热手段是以上 述第1发热手段能够形成前段之方式来沿着上述连 续体的搬送方向而排列配置。 48.如申请专利范围第46项之电子装置的制造方法, 其中具备: 在上述第1及第2发热手段之上述被加热处理区域 的加热后或加热中,在使上述第1发热手段接触于 上述第1被加热处理区域下,使上述第2发热手段由 上述第2被加热处理区域脱离之过程。 49.如申请专利范围第48项之电子装置的制造方法, 其中具备:使由上述第2被加热处理区域脱离的上 述第2发热手段再度接触于上述第2被加热处理区 域之过程。 50.如申请专利范围第49项之电子装置的制造方法, 其中具备:在使由上述第2被加热处理区域脱离的 上述第2发热手段再度接触于上述第2被加热处理 区域之前,将热风吹至上述第2被加热处理区域之 过程。 51.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中更具备:以上述发热手段的长度能够对应于制 品间距之方式来调整上述发热手段的长度之过程 。 52.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中更具备:以上述发热手段的位置能够对应于制 品间距之方式,沿着上述连续体的搬送方向来使支 持上述发热手段的支持台滑动之过程。 53.如申请专利范围第37项之电子装置的制造方法, 其中具备:使藉由上述发热手段而温度上升的被加 热处理区域的温度下降之过程。 54.如申请专利范围第53项之电子装置的制造方法, 其中藉由使比上述发热手段的温度还要低的区域 接触于藉由上述发热手段而温度上升的被加热处 理区域的至少一部份来使上述被加热处理区域的 温度下降。 55.如申请专利范围第54项之电子装置的制造方法, 其中上述温度较低的区域是排列配置于上述发热 手段的前段或后段或者上述发热手段之间。 56.如申请专利范围第53项之电子装置的制造方法, 其中藉由使气体吹至藉由上述发热手段而温度上 升的被加热处理区域的单面或两面来使上述被加 热处理区域的温度下降。 图式简单说明: 图1系表示第1实施形态之电子装置的制造方法。 图2(a)-(e)系表示第1实施形态之电子装置的制造过 程。 图3系表示第2实施形态之电子装置的制造方法。 图4系表示第3实施形态之电子装置的制造方法。 图5系表示第4实施形态之电子装置的制造方法。 图6系表示第5实施形态之电子装置的制造方法。 图7系表示第6实施形态之电子装置的制造装置。 图8(a)-(e)系表示图7之回流处理。 图9系表示图7之回流处理。 图10系表示图7之回流处理的温度履历。 图11系表示第7实施形态之电子装置的制造装置。 图12(a)-(e)系表示图11之回流处理。 图13(a)、(b)系表示第8实施形态之电子装置的制造 方法。 图14(a)-(c)系表示第8实施形态之电子装置的制造方 法。 图15(a)-(c)系表示第9实施形态之电子装置的制造方 法。 图16(a)、(b)系表示第10实施形态之电子装置的制造 方法。 图17系表示第11实施形态之电子装置的制造装置。 图18(a)-(f)系表示图17之回流处理。 图19系表示图17之回流处理的流程图。 图20系表示图17之搬送处理的流程图。 图21(a)-(c)系表示第12实施形态之电子装置的制造 装置。 图22系表示第13实施形态之电子装置的制造方法。 图23系表示以往的电子装置的制造方法。 |
