| 发明名称 | 用于溅射淀积的双源单腔的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于外层和高质量薄膜的外延溅射淀积的双源单腔方法和设备。实施该方法的该设备包括用于在衬底(6)上溅射外延薄膜的第一溅射源(2)。第二溅射源(4)用于溅射活性材料，以便在低温遮挡件(8)上形成吸气剂。该第一溅射源(2)和衬底(6)由该低温遮挡件(8)包围。 | ||
| 申请公布号 | CN1561405A | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN02819133.1 | 申请日期 | 2002.09.27 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | R·奇斯特亚科夫 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平 |
| 主权项 | 1.一种用于薄膜淀积的设备，其包括(a)用于溅射外延薄膜的靶；(b)用于溅射抽气吸气剂的靶；和(c)设置在该外延薄膜靶与该抽气吸气剂靶之间的低温遮挡件。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州威尔明顿 | ||