基于半导体材料的纳米线制作方法

摘要

本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷等掺杂。方法包括(1)利用(100)或(110)晶面顶层硅的SOI硅片；(2)利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术；(3)先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作；(4)先用硅的各向同性腐蚀技术，再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点，制成的纳米线可做成传感器件、电子器件以及光波导器件，发光器件，有广泛的应用前景。

主权项

1.一种基于半导体材料的纳米线制作方法，其特征在于其制作工艺为：(a)选择SOI硅片或蓝宝石上的硅为介质层上的半导体材料，上面有顶层介质(1)，中间介质(2)和衬底(3)；(b)在顶层介质(1)的表面形成保护膜(4)；(c)去掉未被保护的顶层介质(1)，暴露出未被去掉的顶层介质(1)的前侧壁(5)；(d)形成另一层保护膜(6)，将前侧壁(5)保护起来，在形成保护膜(6)的过程中，保护膜(6)挤进保护膜(4)和被保护的顶层介质(1)之间，形成类似于鸟嘴形状的结构，即产生所谓“鸟嘴效应”；(e)去掉残留的保护膜(4)，同时保留保护膜(6)和鸟嘴(7)；(f)去掉不在保护膜(6)和鸟嘴(7)下方的顶层介质(1)，同时保护膜(6)和鸟嘴(7)下方的顶层介质(1)被部分保留下来，其边缘部分形成后侧壁(8)，后侧壁(8)和前侧壁(5)之间即形成中间介质层(2)上的纳米线(9)，其成分与顶层介质1相同。