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Die Erfindung bezieht sich auf eine SOI-Scheibe, umfassend einen Träger aus Silicium, eine elektrisch isolierende Schicht mit einer thermischen Leitfähigkeit von wenigstens 1,6 W/(Km) und eine einkristalline Siliciumschicht mit einer Dicke von 10 nm bis 10 mum mit einer Standardabweichung von höchstens 5% von der mittleren Schichtdicke und einer Dichte von höchstens 0,5 HF-Defekten/cm·2·. DOLLAR A Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen SOI-Scheibe, wobei eine Trägerscheibe aus Silicium über eine zuvor aufgebrachte Schicht aus dem elektrisch isolierenden Material mit einer Spenderscheibe verbunden wird. Die Spenderscheibe trägt eine Spenderschicht aus einkristallinem Silicium, mit einer Konzentration von Vakanzen von maximal 10·12·/cm·3· und von Vakanzenagglomeraten von maximal 10·5·/cm·3·. Nach dem Verbinden der Scheiben wird die Dicke der Spenderscheibe derart reduziert, dass aus der Spenderschicht die einkristalline Siliciumschicht mit den erfindungsgemäßen Eigenschaften entsteht, die über die Schicht aus elektrisch isolierendem Material mit der Trägerscheibe verbunden ist.
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