发明名称 |
一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法 |
摘要 |
本发明属于材料科学与技术领域,涉及到晶体生长科学与技术,尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料,以冷坩埚为炉体,先焙烧菱镁矿石,经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合,放入冷坩埚炉体中,采用三相交流电熔法加热,控制升温、恒温和降温曲线,即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单,易于掌握,工艺稳定,是新一代高科技产品。 |
申请公布号 |
CN1560331A |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
申请号 |
CN200410021334.3 |
申请日期 |
2004.03.02 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
王宁会;黄耀;戚栋;范卫东;吴彦 |
分类号 |
C30B29/16;C30B11/02;C01F5/02 |
主分类号 |
C30B29/16 |
代理机构 |
大连理工大学专利中心 |
代理人 |
侯明远 |
主权项 |
1.一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法,所用原料是天然菱镁矿石,其特征是先焙烧菱镁矿石,制取三种轻烧氧化镁原料混合后放入冷坩埚炉体中,采用三相交流电熔法加热,提拉电极,再经降温,即可获得立方氧化镁晶体。 |
地址 |
116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 |