四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法

摘要

一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法，将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后，在H₂气氛及由20℃至终温420℃连续变化的温度条件下活化处理；按一定配比的H₂、SiCl₄混合气体通过活化处理后的触媒与硅粉料层即实现SiCl₄氢化反应。粉末状镍触媒与硅粉的质量比为1-10％，H₂与SiCl₄的摩尔比为1-10，反应温度400-500℃，反应压力1.2-1.5Mpa，氢化反应连续进行，混合料随反应消耗连续补充。本方法涉及的设备、系统、操作控制可满足大规模生产要求，SiCl₄一次转化率高、能耗低。

主权项

1、一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法，其主要流程如下：a)将镍触媒与硅粉以质量比1-10均匀混合后置于活化器中，活化条件为H2流速≥0.05-0.3m/s，由25℃至终温420℃的升温条件下完成活化过程；b)SiCl4液相温度在贮罐中保持60-119℃，气相总压为1.5MPa，出口的H2与SiCl4混合气的摩尔比为1-10；c)氢化反应器内，H2与SiCl4的混合气通过触媒与硅粉混合料层，保持温度400-500℃、压力1.2-1.5Mpa，接触反应时间为10-100秒；d)氢化反应器的出口混合气体经收尘器进行除尘、过滤后，在冷凝器中氯硅烷呈液态被分离出来，不凝的H2气返回贮罐中循环利用；e)液态氯硅烷经分馏塔分馏后，重组份SiCl4返回贮罐重复利用。