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发明名称
矽化镍层的形成方法、镍合金自动对准矽化金属电晶体结构以及其制造方法
摘要
一种矽化镍层以及结合矽化镍层的半导体元件,可以增加接下来在450℃以上的温度下进行的制程之稳定度。特别的是,矽化镍层是由一种镍合金构成,其中合金金属的一小部分比如为钽,会表现出降低凝聚作用以及减缓NiSi与NiSi2之间的相转换,以抑制片电阻的增加,并改善对于细小图案的可利用性。在形成上,矽化镍层包括一层下方层,主要由镍与矽组成,还有一层较薄的上方层,主要是由合金金属构成。
申请公布号
TW200501234
申请公布日期
2005.01.01
申请号
TW092132871
申请日期
2003.11.24
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
具滋钦;宣敏;卢官锺;金旼柱
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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