发明名称 矽化镍层的形成方法、镍合金自动对准矽化金属电晶体结构以及其制造方法
摘要 一种矽化镍层以及结合矽化镍层的半导体元件,可以增加接下来在450℃以上的温度下进行的制程之稳定度。特别的是,矽化镍层是由一种镍合金构成,其中合金金属的一小部分比如为钽,会表现出降低凝聚作用以及减缓NiSi与NiSi2之间的相转换,以抑制片电阻的增加,并改善对于细小图案的可利用性。在形成上,矽化镍层包括一层下方层,主要由镍与矽组成,还有一层较薄的上方层,主要是由合金金属构成。
申请公布号 TW200501234 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092132871 申请日期 2003.11.24
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 具滋钦;宣敏;卢官锺;金旼柱
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国