用于制造具有改善再新时间之半导体装置的方法

摘要

本发明系关于一种具有改善再新时间之半导体装置的制造方法。该方法包含下列步骤：在基板上形成许多闸极线；藉由使用闸极线当作遮罩，离子布植第一掺杂物，形成许多单胞接面；沿着闸极线的纵深，形成缓冲层；藉由在有缓冲层之情形下，离子布植第二掺杂物进入基板，在单胞接面中形成许多插栓离子布植区，因此形成插栓在其上。