记忆体制造方法

摘要

一种记忆体制造方法，包括以下步骤：依序于一基板上形成一绝缘层、一多晶矽层及一遮罩层；蚀刻遮罩层以暴露出部分之多晶矽层，并定义出第一、第二、及第三图案化区域，第三图案化区域系位于第一及第二图案化区域之间，而多晶矽层之暴露部分系位于第一及第二图案化区域；蚀刻位于第二图案化区域之多晶矽层；植入掺杂于基板中以于第二图案化区域形成一第一掺杂区；氧化基板以于第一图案化区域形成第一氧化矽区域；移除遮罩层；以第一氧化矽区域为遮罩蚀刻多晶矽层以形成一闸极；以及植入掺杂于基板中以形成一第二掺杂区。