发明名称 膜厚改变之控制方法及其控制系统
摘要 本发明揭示一种膜厚改变之控制方法。首先,在一基底上沉积一材料层或蚀刻形成其上之材料层,其随厚度不同而具有不同折射率。藉由一探测光照射材料层以侦测进行蚀刻或沉积期间对应其厚度改变之光学讯号,并将其转为一特征频率,再依据特征频率及对应光学讯号之折射率以动态获取蚀刻深度或沉积厚度。当特征频率随材料层厚度改变而变时,依据改变的特征频率及对应改变的折射率以动态获取蚀刻深度或沉积厚度。最后,当蚀刻深度大体相同于目标深度或沉积厚度大体相同于目标厚度,结束蚀刻或沉积程序。本发明亦揭示一种膜厚改变之控制系统。
申请公布号 TW200501233 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092127271 申请日期 2003.10.02
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 欧阳晖;许妙如;陈昭成;陶宏远
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路八号