多级记忆体元件与其程式设计及读取方法

摘要

一种包括一字元线(word line)及一位元线(bit line)之多级记忆体核心(multilevel memory core)。上述多级记忆体核心也包括一个与上述字元线及位元线电性通讯之核心单元(core cell)。上述核心单元包括一临界值变更材料(threshold changing material)。上述临界值变更材料被程式设计(programmed)以便定义多级储存，其中上述多级储存之每一级与一相对应之临界电压(threshold voltage)有关。也将说明用以读取上述多级记忆体核心之方法。