| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备MOS电晶体,其备有由多晶矽层及上述多晶矽层上的矽化物层组成的闸电极;其中上述多晶矽层,系在上述MOS电晶体之通道长度方向的剖面,具有上部宽幅与低部宽幅大致相等的形状;上述矽化物层,系在上述MOS电晶体之通道长度方向的剖面,具有上部宽幅较低部宽幅宽的形状。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:上述闸电极,系n通道型MOS电晶体的闸电极;上述闸电极的上部植入有磷离子。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备如下步骤:(a)于半导体基板上形成闸极绝缘膜,于上述闸极绝缘膜上形成多晶矽的步骤;(b)于上述多晶矽上进行离子植入的步骤;(c)藉由对上述多晶矽定义图案以形成闸电极的步骤;(d)对上述闸电极进行热处理的步骤;及(e)将上述闸电极上部矽化物化的步骤;其中在上述步骤(b)所植入的离子的总掺杂量为61015/cm2以上。图式简单说明:图1为显示实施形态1之半导体装置之MOS电晶体的通道长度方向的剖面照片的图。图2为显示实施形态1之半导体装置之MOS电晶体的通道长度方向的剖面的模式图。图3为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图4为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图5为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图6为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图7为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图8为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图9为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图10为说明实施形态1之半导体装置之制造步骤用的图。图11为说明实施形态3之半导体装置之制造步骤用的图。图12为说明实施形态4之半导体装置之制造步骤用的图。图13为说明实施形态5之半导体装置之制造步骤用的图。图14为说明实施形态6之半导体装置之制造步骤用的图。图15为说明实施形态7之半导体装置之制造步骤用的图。图16为说明实施形态7之半导体装置之制造步骤用的图。图17为显示实施形态8之半导体装置之MOS电晶体的通道长度方向的剖面的模式图。图18为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图19为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图20为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图21为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图22为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图23为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图24为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图25为说明实施形态8之半导体装置之制造步骤用的图。图26为说明实施形态9之半导体装置之制造步骤用的图。图27为说明实施形态9之半导体装置之制造步骤用的图。图28为显示习知半导体装置之MOS电晶体的通道长度方向的剖面照片的图。图29为显示习知半导体装置之MOS电晶体的通道长度方向的剖面的模式图。 |
