| 主权项 |
1.一种具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,包含以下步骤:提供一基板,该基板具有一表面;形成有第一金属层于该基板之该表面,该第一金属层系包含有至少一下电极板;以增层方式形成一介电层于该基板之该表面;对该介电层形成至少一开孔,用以显露该下电极板;填充一高介电常数材料于该介电层之该开孔;研磨该高介电常数材料,使得该高介电常数材料具有一与该介电层为同一平面之被研磨表面;及形成一第二金属层于该介电层,该第二金属层系包含有一上电极板,该上电极板系覆盖该高介电常数材料之被研磨表面并平行于该下电极板,以构成一埋入式平行电容。2.如申请专利范围第1项所述之具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,其中在该高介电常数材料之填充步骤中,该高介电常数材料系填实于该介电层之开孔且突起于该介电层。3.如申请专利范围第1项所述之具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,其中在该高介电常数材料之填充步骤中,填充该高介电常数材料之方法系选自于印刷与涂填之其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,其中该第二金属层之形成方法系选自于电镀与溅镀之其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,其中该第二金属层另包含有一线路结构。6.一种具有埋入式平行电容之IC载板,包含:一基板,该基板具有一表面;一第一金属层,其系形成于该基板之该表面,该第一金属层系包含有至少一下电极板;一介电层,其系以增层方式形成于该基板之该表面,该介电层具有至少一开孔,对应于该下电极板;一高介电常数材料,其系填充于该介电层之该开孔,且该高介电常数材料系具有一与该介电层为同一平面之被研磨表面;及一第二金属层,其系形成于该介电层,该第二金属层系包含有一上电极板,该上电极板系覆盖该高介电常数材料之被研磨表面并平行于该下电极板,以构成一埋入式平行电容。7.如申请专利范围第6项所述之具有埋入式平行电容之IC载板,其中该第二金属层另包含有一线路结构。8.如申请专利范围第6或7项所述之具有埋入式平行电容之IC载板,其中该第二金属层系包含有另一埋入式平行电容之下电极板。图式简单说明:第1图:习知具有埋入式电容之印刷电路板之截面示意图;第2图:依据本发明,一种具有埋入式平行电容之IC载板增层制程之流程图;第3A至3G图:依据本发明之具有埋入式平行电容之IC载板增层制程,一基板在制程步骤中之截面示意图;及第4图:依据本发明,一种具有埋入式平行电容之IC载板之截面示意图。 |
