半导体装置

摘要

本发明之半导体装置在表面具备位置对准用标记，该位置对准用标记包含高反射率部(2)及平坦的低反射率部；其内部具备第1氧化矽膜(20)，该第1氧化矽膜(20)形成有复数个第1埋入部(4)，将与第1埋入部(4)的周围不同的物质填充于第1埋入部(4)。第1埋入部(4)系形成于在将高反射率部(2)投影于第1氧化矽膜(20)时，避开高反射率部(2)的影子部分的区域的至少一部分内。