| 主权项 |
1.一种AlRu溅镀靶,其特征在于:系由95体积%以上之 AlRu金属间化合物所构成之烧结体,氧含有量为1500 wtppm以下,相对密度在90%以上。 2.一种AlRu溅镀靶之制造方法,其特征在于:将原料 之Al与Ru做高频熔解,然后将熔解后之锭块加以粉 碎或是藉由气雾化法(gas atomize)来做成以Al13Ru4金 属间化合物为主成分之粉末,对此以Al13Ru4金属间 化合物为主成分之粉末混合Ru粉之后,利用热压或 热均压(HIP),以1300~1500℃、150Kgf/cm2以上之烧结压力 来进行烧结。 3.如申请专利范围第2项之AlRu溅镀靶之制造方法, 其中,藉由高频熔解使得熔浴中或锭块中之氧含有 量成为100wtppm以下。 4.如申请专利范围第2或3项之AlRu溅镀靶之制造方 法,其中,系使用平均粒径50~100m之粉末进行烧结 。 5.如申请专利范围第2或3项之AlRu溅镀靶之制造方 法,其中,系在真空中进行烧结。 6.如申请专利范围第2或3项之AlRu溅镀靶之制造方 法,其中,靶之氧含有量为1500wtppm以下。 7.如申请专利范围第2或3项之AlRu溅镀靶之制造方 法,其中,系得到由95体积%以上之AlRu金属间化合物 所构成之烧结体。 8.如申请专利范围第2或3项之AlRu溅镀靶之制造方 法,其中,烧结体之相对密度在90%以上。 图式简单说明: 图1系显示本发明之AlRu金属间化合物烧结体溅镀 靶之SEM图像。 图2系显示本发明之AlRu金属间化合物烧结体溅镀 靶Ru分布图像。 图3系显示本发明之AlRu金属间化合物烧结体溅镀 靶Al分布图像。 图4系显示本发明之AlRu金属间化合物烧结体溅镀 靶O分布图像。 图5系显示以往之Al-50at%Ru烧结体溅镀靶之SEM图像 。 图6系显示以往之Al-50at%Ru烧结体溅镀靶之Ru分布图 像。 图7系显示以往之Al-50at%Ru烧结体溅镀靶之Al分布图 像。 图8系显示以往之Al-50at%Ru烧结体溅镀靶之O分布图 像。 |
