| 主权项 |
1.一种图型形成方法,其特征为含有下述步骤, (1)在绝缘被膜形成用树脂层表面上积层能源线敏 感型被膜层后, (2)经由罩照射或直接照射活性能源线或热线于能 源线敏感型被膜层,以得所企求的图型, (3)使能源线敏感型被膜层经显像处理,藉由能源线 敏感型被膜层来形成阻体图型被膜, (4)再藉由显像处理去除绝缘被膜形成用树脂层,以 得所企求的图型, (5)去除残存之能源线敏感型被膜层,形成绝缘被膜 图型, 其中该绝缘被膜形成用树脂层中,含有较显像处理 时之温度高5℃以上之高玻璃转移温度的树脂作为 显像处理用树脂;绝缘被膜形成用树脂层系于(4)之 步骤后可藉由光、热予以硬化的硬化型树脂层,且 该硬化型树脂层实质上不以上述(2)之步骤予以硬 化,而系使该绝缘被膜形成用树脂层经显像处理后 ,再使该绝缘被膜形成用树脂层硬化。 2.一种图型形成方法,其特征为含有下述步骤, (1)在绝缘被膜形成用树脂层表面上积层能源线敏 感型被膜层后, (2)经由罩照射或直接照射活性能源线或热线于能 源线敏感型被膜层,得所企求的图型, (3')同时藉由显像处理同时去除能源线敏感型被膜 层及绝缘被膜形成用树脂层,以得所企求的图型, (4')去除残存之能源线敏感型被膜层,形成绝缘被 膜图型, 其中该绝缘被膜形成用树脂层中,含有较显像处理 时之温度高5℃以上之高玻璃转移温度的树脂作为 显像处理用树脂;绝缘被膜形成用树脂层系于(3') 之步骤后可藉由光、热予以硬化的硬化型树脂层, 且该硬化型树脂层实质上不以上述(2)之步骤予以 硬化,而系使该绝缘被膜形成用树脂层经显像处理 后,再使该绝缘被膜形成用树脂层硬化。 3.如申请专利范围第1或2项之图型形成方法,其中 绝缘被膜形成用树脂层为热塑性树脂层。 4.如申请专利范围第1或2项之图型形成方法,其中 绝缘被膜形成用树脂层系为含玻璃粉末及绝缘性 树脂或导电性树脂之层,使能源线敏感型被膜层及 绝缘被膜形成用树脂层经显像处理后,烘烤该绝缘 被膜形成用树脂层,以形成不含导电性树脂层及视 需要之绝缘性树脂之绝缘被膜层。 5.如申请专利范围第1或2项之图型形成方法,其中 能源线敏感型被膜层系由负型感光性或正型感光 性树脂组成物所形成的感光性被膜层。 6.如申请专利范围第1或2项之图型形成方法,其中 能源线敏感型被膜层系由负形感热性或正型感热 性树脂组成物所形成的感热性被膜层。 7.如申请专利范围第1或2项之图型形成方法,其中, 能源线敏感型被膜层系由乾式阻体薄膜所形成。 8.如申请专利范围第1项之图型形成方法,在以乾式 阻体薄膜形成能源线敏感型被膜层的方法中,系贴 附由支持薄膜层及能源线敏感型被膜层积层所成 的乾式阻体薄膜,以连接绝缘被膜形成用树脂层之 表面与该乾式阻体薄膜之能源线敏感型被膜层后, 使支持薄膜自能源线敏感型被膜层剥离,再进行如 申请专利范围第1项之(2)、(3)、(4)、(5)之步骤。 9.如申请专利范围第2项之图型形成方法,在以乾式 阻体薄膜形成能源线敏感型被膜层的方法中,系贴 附由支持薄膜层及能源线敏感型被膜层积层的乾 式阻体薄膜,以连接绝缘被膜形成用树脂层之表面 与该乾式阻体薄膜之能源线敏感型被膜层后,使支 持薄膜层自能源线敏感型被膜层剥离,再进行如申 请专利范围第2项之(2)、(3')、(4')之步骤。 10.如申请专利范围第1项之图型形成方法,以乾式 阻体薄膜形成能源线敏感型被膜层的方法中,系贴 附由支持薄膜层及能源线敏感型被膜层积层所成 的乾式阻体薄膜,以连接绝缘被膜形成用树脂层之 表面与该乾式光阻薄膜之能源线敏感型被膜层后, 使支持薄膜层于自能源线敏感型被膜层剥离或不 剥离的状态下,进行如申请专利范围第1项之(2)、(3 )、(4)、(5)的步骤,而使该支持薄膜于不剥离的状 态下进行(2)之步骤时,系于进行该步骤(2)后,使支 持薄膜层自能源线敏感型被膜层剥离后,再进行该 (3)、(4)、(5)之步骤。 11.如申请专利范围第2项之图型形成方法,以乾式 阻体薄膜形成能源线敏感型被膜层的方法中,系贴 附由支持薄膜层及能源线敏感型被膜层积层所成 的乾式阻体薄膜,以连接绝缘被膜形成用树脂层之 表面与该乾式阻体薄膜之能源线敏感型被膜层予 以贴附后,使支持薄膜层于自能源线敏感型被膜层 剥离或不剥离的状态下,进行如申请专利范围第2 项之(2)、(3')、(4')的步骤、而使该支持薄膜于不 剥离的状态下进行(2)之步骤时,系于进行该步骤(2) 后支持薄膜层自能源线敏感型被膜层剥离后,再进 行该(3')、(4')之步骤。 12.如申请专利范围第1项之图型形成方法,其中系 以由支持薄膜层、绝缘被膜形成用树脂层及能源 线敏感型被膜层积层而成的乾式阻体薄膜形成绝 缘被膜形成用树脂层及能源线敏感型被膜层,贴附 可经贴附的基材表面,以连接于该乾式阻体薄膜之 绝缘被膜形成用树脂层之表面后,使支持薄膜层于 自能源线敏感型被膜层剥离或不剥离的状态下,进 行如申请专利范围第1项之(2)、(3)、(4)、(5)的步骤 、而于该支持薄膜不剥离的状态下进行(2)之步骤 时,系于进行该步骤(2)后,使支持薄膜层自能源线 敏感型被膜层剥离后,再进行该(3)、(4)、(5)之步骤 。 13.如申请专利范围第2项之图型形成方法,其中系 以由支持薄膜层、绝缘被膜形成用树脂层及能源 线敏感型被膜层积层所成的乾式阻体薄膜形成绝 缘被膜形成用树脂层及能源线敏感型被膜层,贴附 可经贴附的基材表面与,以连接于该乾式阻体薄膜 之绝缘被膜形成用树脂层之表面后,使支持薄膜层 于自能源线敏感型被膜层剥离或不剥离的状态下, 进行如申请专利范围第2项之(2)、(3')、(4')的步骤 、而使该支持薄膜于不剥离的状态下进行(2)之步 骤时,系于进行该(2)步骤后,使支持薄膜层自能源 线敏感型被膜层剥离后,再进行该(3')、(4')之步骤 。 14.如申请专利范围第1项之图型形成方法,其中于 进行如申请专利范围第1项之(4)之步骤而形成图型 后,或于(4)之步骤后经后硬化后,系使能源线敏感 型被膜层自绝缘被膜形成用树脂层剥离。 15.如申请专利范围第2项之图型形成方法,其中于 进行如申请专利范围第2项之(3')的步骤而形成图 型后,或于(3')之步骤后予以硬化后,系使能源线敏 感型被膜层自绝缘被膜形成用树脂层剥离。 |
