发明名称 FUSIBLE DE COBRE CON MAYOR ABSORCION LASER Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
摘要 Un chip semiconductor que tiene una disposición fusible que comprende un conductor eléctrico que tiene una primera capa de un primer material (24) eléctricamente conductor y una segunda capa de un segundo material (26) eléctricamente conductor, teniendo dicha segunda capa un espesor, una composición y unas propiedades ópticas tales que la combinación de dicha segunda capa con dicha primera capa proporciona características de gran absorción de la energía de la radiación infrarroja incidente emitida desde un láser, minimizando así la cantidad de dicha energía requerida para suprimir, o fundir, la disposición fusible, caracterizado porque, dicha primera capa de dicho primer material (24) está provista de una parte selectiva rebajada (32) y dicha parte selectiva rebajada (32) está llena con dicha segunda capa de dicho segundo material (26).
申请公布号 ES2221602(T3) 申请公布日期 2005.01.01
申请号 ES20000107337T 申请日期 2000.04.04
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 DAUBENSPECK, TIMOTHY H.;MOTSIFF, WILLIAM T.
分类号 H01L21/3205;H01L21/82;H01L23/52;H01L23/525;(IPC1-7):H01L23/525 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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