| 摘要 |
<P>L'invention porte sur un procédé de protection d'un matériau semiconducteur contre la formation d'un siliciure de métal, comprenant la formation sur le matériau d'une couche d'un alliage de silicium et de germanium. Dans ce procédé de protection, le matériau appartient à un composant d'un circuit intégré comportant d'autres composants devant faire l'objet d'une siliciuration. Ce procédé comporte les étapes suivantes :a) un dépôt de la couche de l'alliage de silicium et de germanium (10) sur l'ensemble du circuit intégré,b) un retrait de la couche de l'alliage de silicium et de germanium (10) des zones à siliciurer,c) un dépôt d'un métal (11) sur la structure obtenue à l'étape b),d) la formation d'un siliciure de métal (110) sur lesdites zones,e) un retrait du métal n'ayant pas réagi et de l'alliage ternaire métal-silicium-germanium éventuellement formé,f) un retrait de la couche de l'alliage de silicium et de germanium (10) afin de découvrir le composant non siliciuré.</P>
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