发明名称 FLOATING GATE TUNNEL OXIDE FILM TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
摘要
申请公布号 JPS6466971(A) 申请公布日期 1989.03.13
申请号 JP19870224643 申请日期 1987.09.07
申请人 NEC CORP 发明人 MATSUDA HAJIME
分类号 H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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