| 发明名称 |
Process for producing semiconductor layers based on III-V nitride semiconductors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2004266157(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.30 |
| 申请号 |
US20040488379 |
申请日期 |
2004.08.23 |
| 申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
LUGAUER HANS-JUERGEN;BADER STEFAN |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/04;C23C16/30;C30B25/02;H01L21/033;H01L21/20;H01L33/00;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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