Verfahren zur Feststellung der Cu-Konzentration eines Siliciumsubstrats

摘要

Zur zweckmäßigen und quantitativen Bewertung von Cu in einem Siliciumsubstrat ohne vollständiges Auflösen des Siliciumsubstrats und zur Ermittlung einer Prozessverunreinigung wird ein Verfahren zur Feststellung einer in einem Siliciumsubstrat vorhandenen Cu-Konzentration bereitgestellt durch Erhitzen des Siliciumsubstrats bei einer Temperatur von 600 DEG C oder niedriger, wobei das Substrat Bor bei einer Konzentration von 3 x 10·18· Atome/cm·3· oder mehr enthält; und wobei das Substrat 1 bis 12 Stunden bei einer Temperatur von 300 DEG C einschließlich bis 350 DEG C ausschließlich erhitzt wird, um dadurch quantitativ an den vorderen und entgegengesetzten Oberflächen des erhitzten Substrats vorhandenes Cu zu analysieren.