| 发明名称 |
Method for manufacturing ferroelectric random access memory capacitor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2004266095(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.30 |
| 申请号 |
US20030731357 |
申请日期 |
2003.12.08 |
| 申请人 |
OH SANG-HYUN;YANG YOUNG-HO;LEE KYE-NAM;HONG SUK-KYOUNG |
发明人 |
OH SANG-HYUN;YANG YOUNG-HO;LEE KYE-NAM;HONG SUK-KYOUNG |
| 分类号 |
H01L27/105;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/115;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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