形成在半导体衬底上的精密高频电容器

摘要

精密高频电容器包括形成在半导体衬底的前侧面上的介电层和形成在介电层上的第一电极。所述半导体衬底是重掺杂的，具有低的电阻率。在衬底的前侧面还形成和第一电极绝缘的第二电极。在一实施例中，第二电极通过填充有金属的通孔和衬底的背面上的一层导电材料相连。另一实施例中，通孔省略，且第二电极或和衬底电相连，或形成在介电层的顶上，从而形成一对串联连接的电容器。通过形成在衬底上的和电容器并联的一对反向二极管提供对电容器的ESD保护。为增加电容器的电容，保持低的有效串联电阻，每个电极有多个指状物，它们和另一电极的指状物交叉。电容器最好以晶片等级的处理和许多在晶片上的其它电容器同时制造，然后用常规切块技术将其分开。

主权项

1.一种精密高频电容器，包括：具有第一和第二主要表面的重掺杂的半导体衬底；在衬底的第一主要表面上形成的介电层；在介电层上形成的第一电极；在衬底的第二主要表面上形成的导电层；通过衬底延伸的通孔，所述通孔含有导电材料；形成在衬底的第一主要表面上面的第二电极，所述第二电极和第一电极电绝缘，借助于在通孔中的导电材料和导电层电气相连。